اس فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

اس فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مقاله یون گیری واکنشی

اختصاصی از اس فایل مقاله یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله یون گیری واکنشی


مقاله  یون گیری واکنشی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

  

تعداد صفحه:96

 

  

 فهرست مطالب

 

 

 

مقدمه :

 

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:

 

-معرفی

 

  • فیزیک پلاسما
  • فرآیند ریزالکترونیک

 

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

 

  • مدل سیفتیک گازی
  • مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
  • مدل گازی ساده شده
  • محتوای انرژی
  • نرخ برخورد بین مولکولها
  • مسیر آزاد
  • سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
  • فشار گازی
  • خواص انتقال
  • جریان گاز
  • وضعیت سیال
  • رسانایی رساناها
  • احتمال برخورد
  • پراکندگی گاز- گار
  • پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
  • انتشار ارتجاعی
  • برخورد غیر ارتجاعی
  • نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
  • عکس العمل های فاز- گازی

 

3-فیزیک پلاسما

 

  • توزیع انرژی الکترونی
  • سینتیک همگونی پلاسما
  • مدل توزیع (مارجینوا)
  • مدل توزیع (دروی وشتاین)
  • انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
  • سینتیک گاز رقیق شده
  • شکافت انتشار دو قطبی
  • تجمع غلاف
  • سینتیک سادة غلاف
  • حفاظت یا پوشش «دیبای»
  • تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
  • آزمایش غلاف بوهم
  • خصوصیات میلة آزمایش
  • شکست و نگهداری، تخلیة rf
  • تقریب میدان مشابه
  • تقریب میدان غیرمشابه
  • مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
  • اندازه گیری تخریب rf
  • مدل توازن الکترونیکی
  • مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
  • ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
  • خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)

 

معرفی سمینار (همایش)

 

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

 

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

 

 

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار

هر سال که یادداشت ها و مقاله های سمینار توسعه می یابند و بازنگری و تصحیح می‌شوند، محتویات برنامه هم عوض می شوند. یادداشتهای سمینار بتازگی بالغ بر 450 صفحه می شوند و مدارکی در برگیرندة تمام موارد و مواد مطرح شده و پیشنهاد شده در سمینار می باشند. این متن کاملاً فهرست بندی و دارای ضمیمه و مرجع شده است. موارد زیر (فهرست زیر) مواضع و موضوعاتی هستند که توسعه یافته و تغییر کرده اند و برای ارائه در سمینار جاری آماده شده اند.

 

 

 

شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin

 

سخنران برنامه آقای هرب ساوین است، پروفسور مهندسی شیمی، مهندسی الکتریسیته و علوم کامپیوتر از انستیتو تکنولوژی ماساچوست (MIT). فروفسور ساوین در حدود 22 سال بر روی موضوع پردازش (فرایند) پلاسما کار کرده و در حدود 160 مقالة تألیف شده و رساله (یادداشت) در پروندة خود دارد. تحقیقات او شامل مطالعه در فیزیک پلاسما، شیمی پلاسما، واکنش های سطوح تغییر و تصحیح سطوح، عیب یابی و تعمیر پلاسمایی، مدل سازی (ارائه مدل) از پردازش. در مورد ویژه او بطور نزدیک با صنعت در توسعه و درک مفاهیم یون گیری الکترونها و ذخیره سازی بخار شیمیایی غنی شده با پلاسما، کار کرده است و نیز عیب یابی پلاسمایی و تمیز کردن لایه های مجاور با میکرو- ماشین ینگ (Micro Machining) «همین او یک متبکر در بیش از 8 مقاله و رساله است که 5 تای آنها از MIT برای صنایع (صنعت) و تکنولوژی اجازه نامه گرفته اند. این مقالات راجع به موضوعات زیر بحث می کنند»:

 

  • پاک کردن خشک لایه های Ni، Fe، Cu، Na، فلزهای آلکالی و اکسیدها
  • جایگیر کردن یا (مستقر کردن) لایه های نازک تفلون مانند بصورت بخار شیمیایی برای دی الکتریک های یک لایه در میان و کاربردهای دیگر
  • مونیتورینگ (مشاهدة بصری) میزان چند لایه شدن (لایه گیری) اینترفرومتریک لایه ای، پاک کردن، تأخیر RIE، و مرحلة پایانی در برخی فرایندها (End point).
  • تحلیل نامحسوس برای حساسیت بیشتر بازرسی (جستجو) در مرحلة پایانی (کاری).
  • پیکره بندی (ساختار) رآکتور پلاسمایی
  • پاک کردن لایه های مجاور با بخار با روش HF.

 


دانلود با لینک مستقیم


مقاله یون گیری واکنشی
نظرات 0 + ارسال نظر
امکان ثبت نظر جدید برای این مطلب وجود ندارد.