مقاله درباه سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی

اختصاصی از اس فایل مقاله درباه سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله درباه سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی،فرمت ورد،تعدادصفحه76

مقدمه:

تصوری که بیشتر افراد از سیستم های دیجیتالی دارند این است که این سیستمها در برابر نویز مصونیت ایده آل دارند .

گرچه این نوع از سیستمها به خاطر حاشیه نویز ، در مقایسه با مدارهای آنالوگ حساسیت کمتری نسبت به نویز دارند ، با این حال اثرات نویز الکتریکی را نمی توان نادیده گرفت .

پرشهای خطوط سیگنال ، اتصالات زمین ، سوئیچهای تغذیه ، موتورها ، لامپهای فلورسنت و … سبب آشفتگی در کار مدارهای دیجیتالی می شوند . در فاز طراحی سیستمهای دیجیتالی با مسایل مربوط به نویز مواجه نمی شویم . پس از اینکه سیستم در محیط کار قرار گرفت اصرات نویز نمود پیدا می کند که در آن موقع تغییر و اصلاح طرح سخت افزار پر هزینه است .0000  000                           

هدف از ارائه این سمینار برررسی بعضی از نویزهای الکتریکی و محیطهای نویزی می باشد . پس از آن راه حلهای مناسبی برای جلوگیری از ایجاد نویز توسط مدارهای دیجیتالی و همچنین کاهش اثرپذیری نویزی پیشنهاد می شود .

ترتیب مباحث این گزارش بدین صورت است که : در فصل اول مفاهیم سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی توضیح داده می شود . فصل دوم اختصاص به تشعشع در مدارهای دیجیتالی و راههای کنترل آن دارد . فصل سوم شیلدینگ ، فصل چهارم مربوط به نویز زمین و روشهای حذف آن بحث می شود. در فصل پنچم دی کوپلینگ توضیح داده می شود . امیدوارم که این گزارش مورد استفاده دانشجویان محترم و سایر علاقمندان قرار بگیرد .

فهرست:

فصل اول : سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی

مقدمه   1

سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی                                3

منابع تداخلی طبیعی و منابع تداخلی ساخت بشر      4

منابع تداخلی پیوسته و گذرا              8

تداخل درون سیستم و تداخل بین سیستمها  9

منابع تداخل هدایتی و تشعشعی      11

فصل دوم :

مقدمه 14

تشعشع مود تفاضلی   14

کنترل تشعشع مود – تفاضلی      21

تشعشع مود – مشترک   23

کنترل تشعشع مود – مشترک   26

تولید کلاک طیف گسترده         27

ضرورت استفاده از کلاک طیف گسترده     28

مدولاسیون فرکانس روی کلاک سیستم      29

فصل سوم : شیلدینگ

مقدمه         33

شیلدینگ خازنی              33

شیلدینگ القایی    36

کابل کواکسیال                       37

جفت سیم به هم تابیده                    39

کابل روبان 40

شیلدینگ RF  41                           

فصل چهارم : زمین

مقدمه           46

نویز زمین    47

انتخاب زمین  پ    49

زمین اطمینان    پ  50

زمین سیگنال     51

زمین عملی  56

ملاحظات انتخاب زمین    57

فصل پنجم : دی کوپلینگ

بی ثباتی تغذیه59

خازن دی کوپلینگ 61

نوع خازن دی کوئپلینگ و مقدار آن  63

تثبیت ولتاژ روی برد     65

دی کوپلینگ باس تغذیه بر روی بردهای چند لایه                            66

دانلودمقاله تحلیل نیروهای الکترومغناطیسی در مبدل های توزیع تحت خرابی های مدار-کوتاه

اختصاصی از اس فایل دانلودمقاله تحلیل نیروهای الکترومغناطیسی در مبدل های توزیع تحت خرابی های مدار-کوتاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحلیل نیروهای الکترومغناطیسی در مبدل های توزیع تحت خرابی های مدار-کوتاه داخلی مختل
چکیده
خرابی های مدار کوتاه داخلی علت اصلی شکست های مبدل نیرو هستند. خرابی ها اگر بسرعت شناسایی نگردند، معمولاً به خرابی های جدی تبدیل می گردند که منجر به آسیب های برگشت ناپذیری به مبدل و متوقف سازی های غیرمتوقبه و هزینه های متعاقب خواهند شد. خرابی های مدار کوتاه داخلی ممکن است منجر به جریان شدیدی در فازهای کوتاه و مارپیچ های کوتاه گردد. افزایش جریان باعث افزایش نیروی الکترومغناطیسی در سیم پیچ های مبدل می شود. نیروهای الکترومغناطیسی گذرا در مسیرهای محوری و شعاعی، فشار مکانیکی بحرانی سیم پیچ ها و مبدل ها را تحریک می کند. در این مقاله ما نیروی الکترومغناطیسی شعاعی و محوری را در نوع مبدل هسته سه مرحله ای تحت خرابی های مدار کوتاه داخلی مختلف محاسبه میکنیم. ما همچنین تأثیر موقعیت و شدت خرابی کوتاه داخلی بر روی نیروی محوری و شعاعی را بررسی میکنیم. برای محاسبه نیروها در مبدل خرابی، از روش عناصر اجزای محدود گام زمانی (TSFE) استفاده می کنیم.
کلمات کلیدی: مبدل توزیع، نیروی شعاعی و محوری الکترومغناطیسی، مدار کوتاه سه مرحله ای

مقدمه
مبدل های قدرت از مؤلفه های مهم و باارزش انتقال انرژی و فرآیند توزیع برای کاربردهای الکتریکی هستند. درصد خرابی های مختلف در مبدل های توزیع در شکل 1 نشان داده شده است. می توان گفت که حدود 33 درصد شکست ها بعلت خرابی در سیم پیچ ها هستند.

شکل 1 توزیع شکست معمول برای مبدل ها

وقتی که مبدل تحت خرابی های مدار کوتاه داخلی باشد، ممکن است منجر به افزایش جریان در مارپیچ های کوتاه گردد. با تغییر نوع خرابی های مدار کوتاه داخلی، مانند گردش به گردش ولتاژ بالا (HV)، گردش به گردش ولتاژ پایین (LV)، لایه به لایه، بین HV و LV، و غیره، شدت جریان مدار کوتاه داخلی را می توان تغییر داد، وقتی که مبدل مطیع یک شرایط مدار کوتاه داخلی می گردد، نیروهای الکترومغناطیسی که در مبدل افزایش می یابد به داخل سیم پیچ ها وارد می گردد. نیروهای گذرا باعث آسیب های مکانیکی جدی می گردند که ممکن است مبدل را خم کند یا خراب کند و یا حتی باعث انفجار آن شود. بنابراین طراحی مبدل های توزیع که یک دستگاه اصلی و کلیدی در سیستم های قدرت الکتریکی است، بخاطر نتایج خرابی آنها برای تعمیر یا جایگزینی پرهزنیه، حائز اهمیت زیادی است. اینکار ممکن است منجر به تلفات قدرت الکتریکی با هزینه بالایی گردد. قبل از نصب مبدل در سیستم قدرت الکتریکی، نیروی الکترومغناطیسی بخاطر جریان مدار کوتاه داخلی باید برای عملیات ایمن پیش بینی گردد.
تعدادی از مقالات نیروی الکترومغناطیسی را تحت خرابی مدار کوتاه مبدل بررسی میکنند. Hyun-mo Ahn تأیید تجربی و تحلیل عناصر متناهی نیروی الکترومغناطیسی تک فاز را معرفی کرد. در منبع شماره 5 تحلیل مدار کوتاه برای مبدل سیم پیچ-دونیم با استفاده از راهکار مدار-میدان جفت شده معرفی می گردد. و منبع 6 به تحلیل عناصر دو بعدی و سه بعدی نیروی مدار کوتاه برای مبدل قدرت نوع هسته ای می پردازد. در منبع 6 شرایط مدار کوتاه در یک مبدل قدرت بزرگ تحلیل شده است و این نتیجه گیری بیان شده است که نیروی محوری داخلی در هر دو قسمت پایانی سیم پیچ بزرگتر از نیروی محوری داخلی در قسمت های میانی سیم پیچ است. در منبع 2 رفتار مبدل در مدارهای کوتاه داخلی مختلف بررسی می گردد.
در این مقاله، از روش اجزای محدود برای محاسبه نیروهای الکترومغناطیسی گذار استفاده شده است که در سیم پیچ های مبدل توزیع تحت مدارهای کوتاه داخلی مختلف عمل میکنند. ما یک مبدل 200 KVA فاز را انتخاب کردیم و خرابی های داخلی مختلف را در سیم پیچ مدلسازی کردیم. برای محاسبه دقیق نیروی الکترومغناطیسی تحت مدار های کوتاه داخلی مختلف، سیم پیچ HV به 110 بخش و سیم پیچ LV به 20 بخش تقسیم می گردد.
مدلسازی اجزای محدود مبدل خرابی
یک مبدل نوع هسته ای سه پایه سه مرحله ای توسط بسته FE دو بعدی بردار مدلسازی می گردد. در این مقاله نرام افزار ماکسل برای مدلسازی مبدل مورد استفاده قرار می گیرد.
خصوصیات مبدل پیشنهادی در جدول 1 معرفی شده است. شکل 2 طرح مبدل مدل را نشان میدهد. در این مدل، هسته با ابعاد واقعی دقیق مشابه با هسته واقعی مبدل آزمایشگاهی مدلسازی می گردد. سیم پیچی های HV و LV نیز با ابعاد واقعی مدلسازی می گردند. برای توصیف دقیق رفتار مبدل، مدل مخزن با ابعاد واقعی نیز مد نظر قرار داده می شود. همه ابعاد مبدل از مبدل آزمایشگاهی بدست می آید. از خصوصیات مغناطیس پذیری ماده هسته فراهم شده توسط شرکت تولید کننده استفاده شده است.

جدول 1 خصوصیات مبدل

بخاطر حجم متفاوت چگالی گدازا در هر بخش از هسته، برای محاسبه دقیق نیروی الکترومغناطیسی تحت مدار های کوتاه داخلی مختلف، سیم پیچ های HV به 110 قسمت و سیم پیچ های LV به 20 قسمت تقسیم می گردند؛ و سپس نیروی الکترومغناطیسی شعاعی و محوری در هر قسمت از سیم پیچ ها محاسبه می گردد.

شکل 2 مدلسازی مبدل

در مسئله دو بعدی بررسی شده در اینجا برای تحلیل گذرای مبدل، میدان الکترومغناطیسی و راهکار مدار جفتی بر مبنای فرمول A-V-A داده شده است. از معادلات ماکسل، محاسبه میدان مغناطیسی در بخش متقاطع مبدل بر مبنای فرمول A-V-A دو بعدی با معیار کولن، منجر به معادله زیر می گردد

که A پتانسیل بردار مغناطیسی، چگالی جریان منبع، نفوذپذیری مغناطیسی، رسانایی الکتریکی و معیار کولن است. بطور کلی، تحلیل گذرای مبدل دو قسمت اصلی دارد: فرمول FE الکترومغناطیسی و ارتباط های مدار خارجی. هر بخش معادلات ماتریس خاص خود را دارد که جفت شده اند و بصورت همزمان در هر گام زمانی حل می شوند و به ما اجازه می دهند که رفتار دینامیک گذرای مبدل را مدلسازی کنیم. همانطور که در بخش های بعدی مشخص می گردد، وقتی که یک خرابی داخلی در سیم پیچ های مبدل رخ میدهد، توزیع میدان مغناطیسی داخل مبدل و همچنین مقادیر نهایی در دامنه مدار اساساً تغییر میکند. البته چون معادلات ماکسل رفتار فیزیکی هر سیستم الکترومغناطیس را صرفنظر از نوع و شرایط سیستم توصیف میکنند، رفتار مبدل خرابی برای معادلات ماکسل مناسب است و حل میدان مغناطیسی در مبدل خرابی کاهش داده می شود تا این معادلات حاکم بر مدار-میدان جفت شده را حل کند. اصول بکار رفته برای مدلسازی خرابی سیم پیچی داخلی اینست که سیم پیچ را به دو بخش تقسیم کنیم: بخش مدار کوتاه و مارپیچ های باقیمانده در مدار. شکل 3 مدار مطابق و نمایش دامنه FE مارپیچ مبدل را نشان میدهد، با فرض اینکه یک خرابی داخلی در فاز B از سیم پیچ های ولتاژ بالای مبدل (HV) وجود دارد.

شکل 3 مدل سیم پیچ مبدل

برای اعمال خرابی داخلی، لازم است که دامنه هندسی و همچنین مدانه مدار در FEM را تغییر دهیم. همانطور که در شکل 3 نشان داده شده است، مقاومت خرابی محدودکننده (Rf) برای آغاز خرابی بر روی سیم پیچ بکار برده می شود. شدت خرابی را می توان توسط مقادیر مختلفی از مقاومت خرابی در حلقه مدار کوتاه کنترل کرد. در واقع، مقاومت خرابی نشاندهنده مؤلفه مقاومتی ماده دی الکتریک در مدل مدار موازی معادل دی الکتریک گردش های کوتاه است. مسلماً شدت خرابی نه تنها به مقدار شدت جریان بستگی دارد، بلکه به تعداد گردش های کوتاه نیز بستگی دارد. بنابراین با FEM توسعه یافته مبدل، خرابی های داخلی با شدت و سطوح مختلفی در موقعیت های مختلف در سیم پیچ ها شبیه سازی می گردند.

شکل 4 جریان HV در حالت پایدار

شکل 5 جریان LV در حالت پایدار

شکل 6 سنجش آزمایش

جدول 2 مقایسه شبیه سازی با نتیجه آزمایشی

تایید مدل
شکل های 4 و 5 جریان LV و HV مبدل در حالت پایدار را نشان میدهد. برای تأیید نتیجه شبیه سازی با جریان نتیجه آزمایشی، ولتاژ و شدت گدازا در آزمایشگاه اندازه گیری می شود. شکل 6 مبدل را در آزمایشگاه نشان میدهد. نتیجه آزمایشی و شبیه سازی در جدول 2 با هم مقایسه شده است.
تحلیل نیروی الکترومغناطیسی جریان های کوتاه داخلی مختلف
برآورد گدازای نفوذ (شاره هرز)
وقتی که مبدل قدرت در حالت پایدار کار میکند، چگالی گدازا آهن و جریات در سیم پیچ ها نزدیک به رژیم اسمی است. اما زمانیکه در مدار کوتاه داخلی اتفاق بیفتد، جریان مدار چندین برابر از جریان اسمی بزرگتر خواهد بود.
گدازای مغناطیسی گذرا به خصوصیات مغناطیسی هسته بستگی دارد. خصوصاً زمانیکه مدار کوتاه داخلی ایجاد می گردد، چگالی گدازای نفوذ بعلت جریان مدار کوتاه چندین برابر بزرگتر از عملیات حالت پایدار افزایش می یابد. شارزه هرز از مسیرهای شعاعی و محوری تشکیل شده است.
برای محاسبه نیروهای الکترومغناطیسی، چگالی شاره مغناطیسی را باید ابتدا بدست آوریم. این هدف توسط حل معادلات بردار پتانسیل الکترومغناطیسی بدست می آید:

پس از محاسبه پتانسیل الکترومغناطیسی، مؤلفه های شاره هرز با استفاده از پتانسیل بردار بصورت زیر بیان می گردد

که و بترتیب مؤلفه های مسیری چگالی شاره هرز هستند. J چگالی جریان، و نفوذپذیری هوا است. A هم پتانسیل بردار مغناطیسی است.
چگالی شاره در داخل مبدل مطالعه شده که توسط FEM ایجاد شده است، در شرایط عملیاتی طبیعی و پس از اینکه خرابی طبیعی در امتداد یکی از دیسک های سیم پیچ LV ایجاد می گردد، A در شکل 7 داده شد است. شکل 7.a بطور واضح نشان میدهد که توزیع شاره در یک مبدل سالم دارای یک محور متقارت افقی است که از وسط اعضای هسته ای مبدل عبور میکند.
از طریق شبیه سازی های زیادی مشخص شد که تقارن در توزیع شاره همیشه در حین عملیات مبدل و در شرایط ذخیره ای مختلف بار، حتی برای حالت بار نامتعادل یا ذخیره واپیچیده وجود دارد، درحالیکه وقتی که خرابی داخلی وجود دارد، این تقارن وجود ندارد.

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله 13   صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

تبدیل کنتور الکترومغناطیسی به کنتور دیجیتالی اعتباری

اختصاصی از اس فایل تبدیل کنتور الکترومغناطیسی به کنتور دیجیتالی اعتباری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه :

درکنتورهای الکترومغناطیسی ودیجیتالی مورد استفاده درکشور٬ مشترکین پس ازمصرف برق٬هزینه پرداخت می کنند.قطع برق مشترکین به دلیل نپرداختن هزینه مستلزم حضور مامور شرکت برق در محل٬وپرداخت هزینه وصل مجدد توسط مشترک می باشد.

عدم پرداخت هزینه برق مصرفی توسط بعضی از مشترکین شرکت برق را برآن داشت تا سعی به دریافت هزینه قبل از مصرف کند.پروژه تبدیل کنتور الکترومغناطیسی به کنتور دیجیتالی اعتباری گامی است به سوی پیشبرد این هدف.

فهرست مطالب :

مقدمه

فصل اول :

اساس کاردستگاههای اندازه‌گیری

اساس کارکنتورالقایی تکفاز

فصل دوم :

آشنایی با میکروکنترلرهای AVR

مشخصات میکروکنترلرATmega16

مشخصات میکروکنترلرATmega8

فصل سوم :

EEPROM های خانواده AT24CXX

ارتباط سریال دو سیمه (I2C یا TWI)

صفحه کلید ماتریسی

فصل چهارم :

برنامه نرم افزاری شارژر

طرح شماتیک سخت افزارشارژر

برنامه نرم افزاری کنتور

طرح شماتیک سخت افزارکنتو

دانلود پایان نامه بررسی و شبیه سازی انتشار امواج الکترومغناطیسی درون موجبرهای مستطیلی حاوی فریت بایاس شده

اختصاصی از اس فایل دانلود پایان نامه بررسی و شبیه سازی انتشار امواج الکترومغناطیسی درون موجبرهای مستطیلی حاوی فریت بایاس شده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بررسی و شبیه سازی انتشار امواج الکترومغناطیسی درون موجبرهای مستطیلی حاوی فریت بایاس شده با استفاده از روش تفاضل محدود در حوزه زمان

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب* 

فرمت فایل:PDF

تعداد صفحه:284

چکیده :

موجبرهای امواج الکترومغناطیسی از قطعات اساسی و پرکاربرد در خطوط انتقال و سیستم های مخابراتی محسوب می شوند. اصول کار این قطعات به گونه ای است که با کمترین میزان تضعیف و پاشیدگی در سیگنال الکترومغناطیسی انتقالی، حداکثر راندمان نسبت به سایر خطوط انتقال را به خود اختصاص دهند.

در میان طیف وسیع قطعات موجبری، موجبرهای حاوی قطعات فریتی نقش مهمی در ایجاد تغییرات مورد نیاز در ساختار و پارامترهای موج الکترومغناطیسی انتقالی را عهده دار می باشد که از آن جمله می توان به تغییر مدهای منتشر شده و ایجاد هارمونیک های مختلف موج الکترومغناطیسی انتقالی اشاره نمود که از عمده کاربردهای این تکنیک می توان به مدارات مایکروویو غیرخطی، رادارها و مولدهای هارمونیک های زمانی اشاره نمود.

در این تحقیق پرطرفدار ترین تکنیک تحلیل و شبیه سازی نرم افزایش انتشار امواج الکترومغناطیسی براساس حل معادله موج در محیط انتشار مورد استفاده قرار گرفته و نتایج به دست آمده با سایر روش های شبیه سازی موجود تطبیق شده است.

روش شبیه سازی بکار گرفته شده بر پایه حل معادلات با روش تفاضل محدود در حوزه زمان استوار بوده و الگوریتم به دست آمده قابل پیاده سازی در تمامی محیط های برنامه نویسی می باشد.

شبیه سازی و بررسی انتظار امواج الکترومغناطیسی در درون و سطح قطعات مایکروویو یکی از مراحل مهم و اساسی در طراحی و پیاده سازی این قطعات به حساب می آید به گونه ای که هزینه بالای طراحی و بهینه سازی قطعات مایکروویو با توجه به پیچیدگی های خاص ساخت آنها تا حد قابل توجهی کاهش یافته است. از میان روش های گوناگون تحلیل و شبیه سازی، روش های نرم افزاری نقش اساسی در این مرحله ایفا می کنند.

یکی از پر طرفدارترین روش های موجود در زمینه شبیه سازی نرم افزاری استفاده از حل معادلات تفاضلی محدود در حوزه زمان جهت بررسی معادله انتشار امواج الکترومغناطیسی در درون و سطح قطعات مایکروویو می باشد.

در تحقیق انجام گرفته یک قطعه موجب باند مایکرویو در حالت اولیه توخالی و سپس پرشده از فریت مورد شبیه سازی قرار گرفته شده است. سعی بر آن بوده که با استفاده از روش تحلیل تفاضل محدود در حوزه زمان محیط داخلی موجبر با دقت بسیار بیشتر از نرم افزارهای تحلیل که هسته اصلی پردازش آنها مبتنی بر همین روش می باشد، مورد شبیه سازی قرار گیرد. با استفاده از نتایج حاصله با تغییر سطح مقطع موجبر امکان انتشار مدهای مختلف امواج الکترومغناطیسی، فرکانس قطع موجبر، پارامترهای تضعیف، ثابت انتشار امواج در موجبرهای توخالی و پس از اضافه شدن محیط فریتی به موجبر اثر محیط غیرخطی، چرخش فارادی، پیدایش مدهای جدید، تغییر ثابت انتشار و در نهایت پارامترهای انتقال و انعکاس از سطوح دو محیط مورد شبیه سازی و تحلیل قرار گرفته است.

مبنای شبیه سازی موجبر با سطح مقطع چهار ضعلی انتخاب گردید اگرچه الگوریتم های تهیه شده در این تحقیق علاوه بر دستگاه مختصات قائم در بر گیرنده روابط دستگاه های مختصات استوانه ای و کروی نیز بوده و به راحتی می توان تمامی ساختارهای دارای شکل منظم و نامنظم را مورد شبیه سازی قرار داد.

کلیه نتایج بدست آمده دارای دقتی بیش از حد انتظار بوده که حاصل بررسی دقیق شرایط مرزی محیط شبیه سازی می باشد. این نتایج در انتها با نتایج حاصله از سایر روش های تحلیل نرم افزاری و همچنین شبیه سازی انجام گرفته با یکی از قدرتمندترین نرم افزارهای موجود در طراحی قطعات الکترومغناطیسی مقایسه شده است.

در این پایان نامه در ابتدا به بررسی اجمالی قطعات موجبری مایکروویو و خصوصیات آنها و همچنین شرایط لازم جهت انتشار مدهای مختلف امواج الکترومغناطیسی در آنها پرداخته شده است در ادامه به معرفی دقیق روش تحلیل نرم افزای تفاضل محدود در حوزه زمان، ارائه الگوریتم های مناسب جهت شبیه سازی محیط محاسباتی، بررسی محیط های فریتی و نحوه انتشار امواج الکترومغناطیسی در داخل آنها و در نهایت شبیه سازی موجبرهای حاوی فریت و ارائه یک روش کاملا منحصر به فرد در نحوه شبیه سازی انتشار امواج در حوزه فرکانسی ارائه شده است در خاتمه تحقیق نیز کلیه نتایج حاصله از شبیه سازی با نتایج موجود از سایر روش های بررسی و شبیه سازی مورد تحلیل و تطبیق قرار گرفته است.

فصل اول: کلیات

موجبرهای امواج الکترومغناطیسی

1-1- مقدمه:

قسمتی از طیف الکترومغناطیسی که بین 1000 تا 100/000 مگاهرتز قرار می گیرد به عنوان ناحیه مایکروویو استفاده می شود و کلمه ریزموج برای مشخص کردن امواج الکترومغناطیسی با فرکانس بالای 1000 مگاهرتز به جهت کوچکی طول موج فیزیکی آنها برای نام گذاری به کار می رود. انرژی موجود در امواج مایکروویو دارای تمایز محسوسی نسبت به سایر امواج الکترومغناطیسی بوده و با توجه به بسیاری از خصوصیات این دسته امواج از جمله جهت پذیری مناسب جهت استفاده در آنتن های کوچک و فرستنده های رادیویی توان پایین کاربرد فراوان دارد و در هر دو حوزه نظامی و غیرنظامی استفاده از این امواج رشد چشمگیری داشته است. خصوصیات منحصر بفرد این امواج باعث شده تا در طراحی تجهیزات ناوبری بر روی کشتی ها و هواپیماها و به صورت کلی در مکان هایی که فضا و وزن جزء پارامترهای مهم در طراحی به حساب می آیند، بسیار مورد توجه قرار گیرند.

شایان ذکر است امواج الکترومغناطیسی در فرکانس های باند مایکروویو مشکلات خاص خود را در فازهای تولید انتقال و طراحی مدار دارا می باشند که در فرکانس های پایین تر با آن کمتر مواجه می شویم. همچنین متذکر می شویم تئوری قراردادی مدار که پایه و اساس روابط ولتاژ و جریان در مدار می باشد در طیف فرکانسی مایکروویو قابل بسط نبوده و به جای آن از تئوری مایکروویو و روابط و قوانین حاکم بر میدان های الکترومغناطیسی همانند قوانین ماکسول استفاده می شود.

2-1- تئوری موجبرهای الکترومغناطیسی:

به طور کلی استفاده از زوج سیم جهت برقراری خط انتقال مطابق با تئوری مدارهای الکتریکی جهت انتقال امواج الکترو مغناطیسی در باند فرکانسی مایکروویو امری بیهوده می باشد. این امر بدان دلیل می باشد که خطوط میدان های الکترو مغناطیسی در جهت های مختلف محدود نشده اند و به راحتی انرژی امواج از طریق تشعشع در تمام جهات منتشر شده و عملا موج الکترومغناطیسی در مسیر اصلی انتشار مورد نظر که همان زوج سیم است میرا خواهد شد.

کابل کواکسیال یا همان خطوط انتقال متعادل به مراتب مفیدتر از حالت قبل می باشد زیرا میدان ها در داخل حفظ این خط انتقال محدود شده اند اما همچنان میزان تضعیف موج الکترومغناطیسی بسیار بالاست. در نهایت با توجه به بحث تئوری خطوط انتقال موجبرهای الکترومغناطیسی موثرترین روش جهت انتقال امواج الکترومغناطیسی می باشند.

موجبرها اساسا خط انتقال متعادل بدون هادی مرکزی بوده که از مواد هادی و به شکل های مستطیلی، دایروی، بیضوی و… ساخته می شوند.

و...

NikoFile