بررسی اثر خطا ی اتصالی در هادی های CTC

اختصاصی از اس فایل بررسی اثر خطا ی اتصالی در هادی های CTC دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات96

فهرست مطالب
عنوان صفحه

فصل اول : آشنایی با مراحل کلی طراحی ترانسفورماتور 1
1-1-مقدمه 2
1-2-طراحی 4
1-3-آزمایش ها 5
1-4- محاسبات هسته 9
1-5-ساختمان هسته 13
فصل دوم : انواع سیم پیچی های ترانسفورماتور و ساختمان آنها 14
2-1-مقدمه 15
2-2-تعاریف 15
2-2-1 سیم پیچی 15
2-2-2 فاز ترانسفورماتور 16
2-2-3 جزء سیم پیچ 16
2-2-4-هادی موازی 16
2-2-5 انواع هادی ها 18
2-2-6 سیم پیچ با هادی های درهم شده 19
2-4-ساختمان سیم پیچ های لایه ای 31
فصل سوم : ساختار هادیهای CTC 39
3-1-مقدمه 40
3-2-معرفی هادی CTC 41
3-3- ساختمان هادی CTC 43
3-4- توصیفی از جابجایی Transposition 46
3-5-بوبین ساخته شده از هادی CTC 47
3-6-ابعاد هادی های CTC با عایق کاغذی 47
3-7-بررسی اثر موقعیت خطا در بوبین 51
3-7-1 بررسی اثر موقعیت خطا در بوبین با هادی دو قلو 52
3-8-مدل مداری هادی CTC 58
3-8-1- چگونگی بدست آوردن مقادیر اندوکتانس های هادی CTC 58
فهرست مطالب
عنوان صفحه

3-8-2-روش حل مدار در مدلسازی هادی CTC 65
3-8-3-بررسی علت عدم تعادل جریان در رشته های موازی 68
3-9-نرم افزار CTCFMS 70
فصل چهارم : نتایج عددی و تحلیل چند ترانسفورماتور نمونه 74
تحلیل خطا در چند ترانسفورماتور نمونه 75
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهادات 81
5-1-نتایج کلی بدست آمده از پروژه 82
5-2-پیشنهادات 83
مراجع 84

دانلود مقاله حسگرهای نیمه هادی در خودرو

اختصاصی از اس فایل دانلود مقاله حسگرهای نیمه هادی در خودرو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه:
در این تحقیق سعی بر ارائه ی مطالب متنوع و البته جدید و پیشرفته شده است و از کنجاندن مطالب ضعیف، اضافی، تکراری و قدیمی پرهیز شده است. تلاش دانشجو بر این بوده که مطالب جدید و به روز باشند و سعی شده است که نوآوریهای جدید در سیستمهای برقی خودرو در این تحقیق گنجانده شود و بر همین اساس به جای استفاده از کتابهای موجود در بازار سعی بر استفاده از اینترنت و مقاله های معتبر ترجمه شده بوده است امیدوارم مورد قبول شما استاد عزیز قرار بگیرد. ایضاً به عرض استاد گرامی برسانم چون بنده تکنولوژی دستژاه الکتریکی و کارگاه را همزمان واحدگیری نموده ام و با توجه به مرتبط بودن نمرات تکنولوژی و کارگاه این تحقیق همزمان مربوط به تکنولوژی دستگاه های الکتریکی و کارگاه به شما ارائه می گردد.

حسگرهای نیمه هادی در خودرو
حسگرها انواع زیادی دارند که به روشهای گوناگون دسته بندی می شوند. یکی از روشهای دسته بندی بر اساس کمیت مورد اندازه گیری است. بر اساس این دسته بندی حسگرها به صورت حسگرهای صوتی، مکانیکی، مغناطیسی و تشعشعی، حرارتی، شیمیایی و زیست محیطی دسته بندی می شوند. هر حسگر بسته به کاربرد خاصی که دارد باید ترکیبی از مشخصه های حساسیت، پایداری، حد تفکیک، هسیترزیس، خطی بودن، طول عمر، آفست، محدودة اندازه گیری، سرعت پاسخ دهی، قابلیت ساخت با مدار مجتمع و سازگاری با فرآیندهای تولید مدارات مجتمع و سازگاری با فرآیندهای تولید مدارات مجتمع و سازگاری با فرآیندهای تولید مدارات مجتمع (IC) را کم و بیش داشته باشد.
یک حسگر خوب علاوه بر دارا بودن دسته ای از شرایط فوق باید تحت تأثیر تغییرات عواملی چوندما، شتاب، ارتعاش، ضربه، رطوبت، فشار محیط و مواد خورنده در محدودة باتلورانس مشخص عمل کند.
یکی از شاخه های کاربردی حسگرهای نیمه هادی کاربردهای صنعتی بوده و از رایجترین و پرکاربردترین موارد در این شاخه صنعت خودروسازی است. در خودروهای جدید روز به روز تعداد کنترل کننده ها در نتیجه حسگرها رو به فزونی و تکامل است تا کنترل دقیقتر و بهینه در سیستمهای درونی خودرو حاکم شود. کنترل و اندازه گیری فشار روغن، دمای رادیاتور و موتور، میزان سوخت موجود، شتاب، سرعت، میزان و درصد گازهای خروجی، درصد ترکیب هوا و سوخت و زمان مناسب جرقه زنی شمعها از مواردی است که در خودرو نیاز به حسگر دارد.
در این مقاله ابتدا کلیاتی درباره حسگرهای نیمه هادی بیان و سپس مبادرت به دسته بندی حسگرها بر اساس انرژیها و سیگنالهای ورودی آنها می کنیم. در ادامه مشخصه‌های یک حسگر و تاریخچه تکامل آنها ذکر می شود. در خاتمه مثالی از کاربرد حسگرهای نیمه هادی در سیستمهای مختلف خودرو که امروزه بسیار متداول شده است، بیان خواهیم کرد.

دسته بندی حسگرهای نیمه هادی
لغت خسگر از کلمه لاتین "sentire" به معنی درک کردن یا دریافتن گرفته شده است. یک حسگر، کمیتی را حس و سیگنال یا انرژی مورد نظر را به سیگنال یا انرژی از نوع دیگر تبئیل می کند.
حسگرهایی که در آنها مواد نیمه هادی وظیفه اصلی را به عهده دارند، حسگرهای نیمه هادی نام دارند. برخی اوقات ماده ای که عملکرد مناسب را دارا است، عنصری نیمه هادی نیست. در این موارد می توان لایه ای از این ماده را بر روی نیمه هادی رسوب داد. لذا از این نظر دارای دو دسته حسگر هستیم: حسگرهای روی نیمه هادی و حسگرهای درون نیمه هادی. لازم به ذکر است که مهمترین ماده در هر دو نوع مذکور سیلیکن است.
حسگرهای نیمه هادی به دلیل کوچکی ابعاد تکنیکهایی که در ساخت آنها به کار می‌رود از حسگرهای دیگر متمایز هستند. اکثر حسگرهای نیمه هادی با روشهای کم و بیش مشابه با روشهای به کار برده شده در ساخت مدارات مجتمع، تولید می شوند. با استفاده از این روش، تولید صدها یا هزارها حسگر یکسان به طور هم زمان انجام می شود و در نتیجه نسبت عملکرد بر قیمت به طور محسوسی فزونی می یابد. کوچکی ابعاد نه تنها به کاهش قیمت می انجامد بلکه ما را قادر می سازد تا حسگر و مدارات جانبی مورد نیاز را بر روی یک تراشه به صورت مجتمع تولید کنیم چنین حسگرهایی حسگرهای مجتمع نام دارند و چون بعضی اعمال روی همان تراشه که حسگر بر روی آن قرار دارد انجام می شود، این حسگرها به حسگرهای هوشمند موسومند مزیت این حسگرها، عملکرد بهتر آنها است.
در شکل (1) اندازه حسگرهای نیمه هادی را با اجسام دیگر مورد مقایسه قرار داده ایم. با توجه به شکل دیده می شود که ابعاد این حسگرها در حدود میکرون است. به همین دلیل گاهی به آنها زیر حسگر گفته می شود.

انواع سیگنالها و انرژی ها
وظیفه اصلی حسگرها تبدیل انرژی کمیت مورد نظر، به انرژی از نوعی دیگر است. بنابراین برای دسته بندی حسگرها به بررسی انواع انرژیها می پردازیم. یک دسته بندی برای اکثر انرژیهای مورد بحث به صورت زیر است.
1-انرژی اتمی که از نیروی بین هسته و الکترونها بحث می کند.
2-انرژی الکتریکی در رابطه با میدان الکتریکی، جریان و ولتاژ الکتریکی
3-انرژی گرانشی وابسته له جاذبه جسم و زمین
4-انرگی مغناطیسی در مورد میدانهای مغناطیسی
5-انرژی جرمی که توسط انشتین به عنوان قسمتی از تئوری نسبیت بیان می شود.
6-انرژی مکانیکی وابسته به حرکت، جا به جایی و نیرو
7-انرژی مولکولی وابسته به انرژی پیوندی مولکولها
8-انرژی هسته ای درباره پیوند درون هسته ها
9-انرژی تابشی یا تشعشعی در رابطه با امواج الکترو مغناطیسی، امواج رادویی، میکروویو، مادون قرمز، نور مرئی، ماورای بنفش و اشعه های ایکس و گاما.
هریک از این انرژیها دارای سیگنالی متناظر با خود است.(ما در موارد عملی با انرژیهای هسته ای و جرمی کمتر سروکار داریم) انرژی های اتمی و مول
کولی متناظر با سیگنال شیمیایی و انرگیهای ثقلی و مکانیکی متناظر با سیگنال مکانیکی اند بنابراین دارای شش نوع سیگنال خواهیم بود. این شش نوع سیگنال به قرار زیر هستند:
1-سیگنال شیمیایی
2-سیگنال الکتریکی
3-سیگنال معناطیسی
4-سیگنال مکانیکی
5-سیگنال تابشی یا تشعشعی
6-سیگنال حرارتی

سیستم اندازه گیری
شکل(2) وضعیت کلی یک سیستم اندازه گیری را نشان می دهد. ابتدا کمیت مورد نظر به حسگر اعمال شده و حسگر سیگنالی متناسب با آن که اغلب الکتریکی است، تولید می کند. سپس این سیگنال در اصلاح کننده، پردازش و اصلاح می شود ولی نوع آن تغییر نمی کند، اعمال دیگر از قبیل تقویت نیز در این مرحله انجام می شود. سرانجام ترانس دیوسری در خروجی، این انرژی را به شکل مناسب جهت نمایش،ضبط و یا اعمال دیگر تبدیل می کند.
همان گونه که در شکل(2) دیده می شود، حسگر به منبع تغذیه متصل است. به این نوع حسگرها که کمیت مورد نظر را بر روی انرژی منبعی که به آن متصلند مدوله می‌کنند، حسگرهای مدوله کننده گوییم. در مقابل حسگرهایی وجود دارند که نیازی به منبع تغذیه نداشته و انرژی لازمه را از انرژی کمیت مورد نظر دریافت می کنند.
بهترین توع سیگنال خروجی یک حسگر، سیگنال الکتریکی است. زیرا سیگنال الکتریکی دارای مزایای خاصی است. برخی از این مزایا در زیر آمده است.
1-به علت ساختار الکترونی ماده و با انتخاب ماده ای مناسب برای حسگر، می توان هر کمیت غیر الکتریکی را به سادگی به تغییر مشابهی به صورت الکتریکی تبدیل کرد.
2-وجود مدارهای الکترونیکی متنوع جهت پردازش سیگنالهای الکتریکی از قبیل تقویت کننده، مدوله یا دمدوله کننده، فیلترها و اصلاح کننده ها
3-مناسب ترین سیگنال برای انتقال، سیگنال الکتریکی است.
4-وجود انواع روشها برای نمایش در خروجی و ضبط اطلاعات و تحریک عمل کننده

مشخصه های مهم یک حسگر
برخی از مشخصه های مهم یک حسگر به قرار زیر است:
1-شرایط محیطی، که ممکن است عملکرد حسگز را تحت تأثیر قرار دهند. اهم این شرایط عبارتند از شتاب، ارتعاش، فشار، رطوبت، میدانهای الکتریکی و مغناطیسی و اثر مواد خورنده، این شرایط باید به گونه ای باشند که حسگر بتواند در محدوده خاص عمل کند.
2-خروجی تمام رنج(FSO): تفاضل جبری بین نقاط ابتدایی و انتهایی خروجی را گوسسم این مقدار در شکل (3) آمده است.
3-هیستر زیس:بیشترین تفاوت در خروجی به ازای مقداری خاص از ورودی، این مقدار به صورت درصدی از FSO بیان می شود و در شکل (4) دیده می شود.
4-خطی بودن:میزان تطابق منحنی مشخصه حسگر با یک خط راست را گویند و مقدار آن برابر بیشترین فاصله این دو از هم است که بر حسب FSO بیان می شود. منحنی مشخصه یک حسگر خطی در شکل 3 آمده است.
5-محدوده کمیت مورد سنجش: با توجه به شکل (3) محدوده ای را گوییم که حسگر در آن محدوده به صورت مطلوب عمل می کند.
6-آفست:مقدار خروجی حسگر با اعمال ورودی صفر، در دمای اتاق را گوییم که در شکل (3) نشان داده شده است.
7-طول عمر:کمترین زمانی که حسگر به طور مداوم و در محدوده با تلورانس مطلوب به صورت صحیح عمل کند.
8-اضافه بار:اضافه بار یعنی عملکرد حسگر تحت ورودی بزرگتر از حد یکی از مشخصه های مهم اضافه بار، زمان برگشت حسگر به حالت عادی است.
9-حد تفکیک:کمترین تغییرات کمیت مورد سنجش که قادر به تولید سیگنال قابل تشخیص در خروجی حسگر باشد.
10-حساسیت:نسبت تغییرات خروجی حسگر به تغییرات ورودی را گوییم که در حقیقت شیب منحنی مشخصه حسگر در هر نقطه است. مطلوب است حساسیت حسگر ثابت و تا حد امکان زیاد باشد.
11-سرعت پاسخ دهی: زمان عکس العمل خروجی حسگر به تغییرات ورودی به صورت پله بیانگر سرعت پاسخ دهی است هرچه این زمان کمتر باشد سرعت پاسخ دهی حسگر بیشتر است.

تاریخچة مراحل تکامل و پیشرفت حسگرها
آغاز کار با حسگرهای نیمه هادی به سال 1874 که Brawn یکسو کننده فلز- نیمه هادی را به کاربرد بر می گردد. در حقیقت در این حسگر ورودی ولتاژ است و خروجی مقاومت، یکسو کننده که وابسته به پلاریته ولتاژ است. شروع جدی اسن مراحل از اختراع ترانزیستور در سال 1974 بود. بعدها اثر پیز و مقاومتی کشف شد ودر حسگرها مورد استفاده قرار گرفت.

نقش حساس ناخالصیها درون محلول الکترولیت و تأثیر آنها بر کارکرد باتری
عمل سولفاته کردن صفحات مثبت و منفی درون باتری به چندین عامل مهم بستگی دارد که از آن جمله اند.
1)ناخالصیهای وارد شده به محلول الکترولیت از طریق آب معمولی نه آب مقطر.
2)ناخالصیهای وارد شده به محلول الکترولیت از طریق اسید سولفوریک با درجه خلوص کم.
3)ناخالصیهای وارد شده به محلول الکترولیت از طریق سر باتریهای فلزی به غیر از سر باتری های سربی.
4)ناخالصیهای وا

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   33 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

دانلود مقاله توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی

اختصاصی از اس فایل دانلود مقاله توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 
آشکار سازی های نیمه هادی نوترون برای رادیوبیولوژی نوترون و شمارش آن دارای اهمیت بسیار زیادی هستند. آشکار سازی های ساده سیلیکونی نوترون ترکیبی از یک دیود صفحه ای با لایه ای از یک مبدل مناسب نوترون مثل 6LiFمی باشند. چنین وسایلی دارای بهره آشکار سازی محدودی می باشندکه معمولاً بیشتر از 5% نیست. بهره آشکار سازی را می توان با ساخت یک ساختار میکرونی3D به صورت فرو رفتگی، حفره یا سوراخ و پر کردن آن با ماده مبدل نوترون افزایش داد. اولین نتایج ساخت چنین وسیله ای در این مقاله ارائه شده است.
آشکار سازهای سیلیکونیN با حفره های هرمی شکل در سطح پوشیده شده با 6LiF ساخته شده و سپس تحت تابش نوترونهای حرارتی قرار گرفتند. طیف ارتفاع پالس انرژی تابش شده به حجم حساس با شبیه سازی مورد مقایسه قرار گرفت. بهره آشکار سازی این وسیله در حدود 6.3% بود. نمونه هایی با سایز ستونهای مختلف ساخته شد تا خواص الکتریکی ساختارهای سه بعدی مورد مطالعه قرار گیرد.ضرایب جمع آوری بار در ستونهای سیلیکون از 10تا800 nm عرض و 80تا nm 200ارتفاع با ذرات آلفا اندازه گیری شد. بهره آشکار سازی یک ساختار 3D کامل نیز شبیه سازی شد. نتایج نشان از تقویت بهره آشکار سازی با فاکتور 6در مقایسه با آشکار سازهای صفحه ای استاندارد نوترون دارد.
1. مقدمه و اهداف: آشکار سازهای نوترونی نمی توانند مستقیماً برای آشکار سازی نوترونهای حرارتی به کار روند و باید از ماده ای استفاده کرد که نوترونها را به صورت تشعشع قابل آشکار سازی در آورد. مواد مختلفی برای این منظور وجود دارند که در بین آنها6Li از همه مناسب تر به نظر می رسد. واکنش گیر افتادن نوترون در6Li دارای سطح مقطع942 b در انرژی نوترونی0.0253eV است.
6Li+n→∝(2.05MeV) +3H(2.73MeV
مواد مبدل با پایه6Li دارای سطح مقطع گیر انداختن نورونهای بالایی بوده و انرژی محصولات تولید شده آن نیز برای آشکار شدن به قدر کافی بالا می باشد. هدف نهایی آشکار سازR&D که در اینجا شرح داده می شوند ایجاد یک سنسور تصویر برداری نوترون با حساسیت بالا و قدرت تفکیک فضایی مناسب است. ما قبلاً با موفقیت چیپMedipix-2 با چیپ سنسور صفحه ای پوشیده با مبدل نوترون6Li را آزمایش کرده ایم. قدرت تفکیک فضایی چنین وسیله ای در حدود 65nm(نشانه ای از FWHMتابع پخش خطی) به خوبی با ابزارهای تصویر برداری نوترون قابل رقابت است. نسبت سیگنال به نویز(SNR) آشکارسازی سیلیکون نیز بالاتر از آشکار سازهای نوترونی فعلی است. با این وجود بهره آشکار سازی چنین آشکارسازهای نیمه هادی صفحه ای(نسبت تعداد آشکار شده به تعداد نوترون برخوردی) در حدود5% محدود می باشد. بهره آشکارسازی را می توان با ایجاد حفره یا سوراخ هایی (ساختار 3D ) در بدنه آشکار ساز سیلیکون افزایش داد.
2. آشکار سازی آشکارسازهای نوترونی صفحه ای:
برای پیش بینی بهره آشکارسازی ساختار صفحه ای از یک بسته نرم افزار شبیه سازی مونت کارلو استفاده شد. این بسته ترکیبی بود ازMCNP-4C (شبیه سازی انتقال نوترونی) با SRIM/TRIM (قدرت توقف) و کد مونت کارلو C++ متعلق به خودمان(شبیه سازی انتقال انرژی، طیف ارتفاع پالس، بهره آشکار سازی و....)
شکل 1بهره آشکار سازی را در مقابل ضخامت ماده مبدل6LIF (6LI غنی شده تا 89%)، اول برای تشعشع قدامی که منحنی مقدار بیشینه 4.48% را در ضخامت 7mg/cm2 نشان می دهد. بهره آشکار سازی در ضخامتهای بیشتر از این حد کاهش می یابد چون ذرات آلفا و تریتیوم تولید شده در سطوح دورتر LiFاز مرز Si-LiF قادر به رسیدن به حجم حساس نیستند. به علاوه تعداد بیشتر نوترونها در نزدیکی سطح خارجی مبدل جذب می شوند(شکل 2a را ببینید). منحنی دوم در شکل1 مخصوص آشکار سازی است که از پشت تحت تابش قرار گرفته است.
در ضخامتهای بالا تراز7mg/cm2، بهره آشکار سازی در حدود 4.90%ثابت باقی می ماند. نوترونها به صورت قابل ترجیحی در نزدیکی مرز مبدل نیمه هادی جذب می شوند )شکل(b.2 و بهره آشکارسازی اشباع شده و مستقل از ضخامت آشکار ساز می باشد.
طیف انرژی تابشی در آشکار ساز صفحه ای ساده اندازه گیری شد(شکل 3). نمونه مورد استفاده یک آشکارساز سیلیکونی 5×5mm2و 300µm ضخامت بود. مقاومت حجم n-type در حدود 5kΩcm بود. بخشی از نمونه با لایه ای از6LiF با 89% لیتیوم پوشانده شده بود(به این دلیل فقط بخشی از آن پوشانده شده بود تا بخشی به صورت فضای باز برای کالیبراسیون انرژی با ذرات آلفای منبع کالیبراسیون در اختیار داشته باشیم). طیف حاصل را با نتایج شبیه سازی مونت کارلو مقایسه کردیم. شبیه سازی به خوبی با نتایج اندازه گیری شده مطابقت داشت. نمونه از پشت با دسته پرتو نوترون حرارتی مورد تابش قرار گرفت. اندازه گیریها در کانال افقی (هدایت نوترون) راکتور تحقیقاتی هسته ای LVR-15 در موسسه فیزیک هسته ای دانشگاه چک در Rez در نزدیکی پراگ انجام پذیرفتند. فلوی نوترون در حدود106cm-2s-1در قدرت راکتور8MW بودند.
آلفا و تریتون تولید شده از واکنش گیر انداختن نوترون حرارتی اغلب در جهتهای متضاد به حرکت در می آیند (شکل4) آشکارساز صفحه ای ساده یکی از دو ذره الفا یا تریتون را آشکار می کند نه هر دو را. بنابر این طیف انرژی تابشی هرگز دارای انرژی بالاتر مربوط به تریتون نخواهد بود.

3. بهره آشکارسازی آشکارسازهای دارای حفره هرمی:
نمونه آزمایشی دوم دارای آرایه ای از حفره های هرمی معکوس ایجاد شده بوسیله قلم زنی سیلیکون با KoH بودپایه هرم به ابعاد 60×60 µm2 و به عمق 28mm فاصله بین هرم ها نیز23µm بود. اندازه چیپ مجدداً 5×5mm2 با ضخامت300µm و مقاومت در حدود5kΩcm بود. حفره ها دارای دو سطح بین مبدل نوترون وآشکارساز بودند. برعکس طیف آشکار سازها صفحه ای ( شکل5) در اینجا طیف دارای وقایع با انرژی بیش از2.73MeV است چون اگر واکنش در ناحیه نزدیک به نوک هرم رخ دهد، هر دو ذره (آلفا تریتون) آشکار خواهند شد.

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   10 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

تحقیق در مورد امام علی بن محمد هادی

اختصاصی از اس فایل تحقیق در مورد امام علی بن محمد هادی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)


تعداد صفحه:10

امام علی بن محمد هادی، در پانزدهم ماه ذیحجه سال 212 هجری در نزدیکی شهر مدینه از سمانۀ مغربیّه زاده شد پس از تولد نوزاد، سنّت شرعی و شمخصی که از رسول خدا شفارش شده است درباره ی نوزاد اجرا شد علی بن محّمد، که ما از این به بعد او را با نام اما هادی(ع) می شناسیم، هر گاه از مادر خویش یاد می کند شایستگی او را بیشتر نمایان می سازد اما هادی (ع) دوران کودکی را در محیطی خاص سپری می سازد. از یک سو دورنمای جدایی از پدر که به تهدبد و اجبار مأمون عباسی از مدینه به بغداد فراخوانده شده است امام را در یک موقعیت مخصوص قرار می دهد چیزی که در دورا ن امام هادی دیگر بی سابقه بوده است امام هادی(ع) با نگاه تیزبین و موشک خانه ای که مسلّح به امدادهای پروردگار می باشد هر آنچه که در محیط زندگی خویش می گذرد با دقت فراوان مورد بررسی قرار می دهد او در زمانی که سایه پر مهر پدر را بر سر خویش دارد و در مکتب والای امامت پرورش می یابد می بیند که پدر در تلاش علمی- فرهنگی مداوم و خستگی ناپذیر وارد شده است تا پایه های اعتقادی مکتب تشیّع را استحکام بیشتری ببخشد در این گیرودار، دستگاه حکومتی برای مشغول کردن مردم و منحرف ساختن افکار عمومی از مسالۀ مبارزه با جنایات و ستمگری های دستگاه خلافت، ترفند منحرف ساختن افکار عمومی به چیزهای دیگر رابرگزیدن است موضوع ظلم ستیزی و بی پروایی اما هادی(ع) از همان دوران کودکی و در روزگاری که آغاز جدایی او از پدرش می باشد به خوبی مشهود و محسوس است در آخرین روزهایی که اما جواد ( ع) در کنار خانوداه ی خویش در ظهر مدینه سوکنت دارد دو نفر از فرزندانش را در کنار گرفته و با آن ها درباره ی سفزی که در پیش روی دارد، گفتگو می کند- سرزمین عراق جایی است که امام جواد (ع) را به سوی آن فراحوانده اند امام نهم ابتدا از علی النقی – امام هادی می پرسد: دوست داری کدام یک از سوغات های عراق برایت هدیه آورده شود؟ فرزند پاسخ می دهد: شمشیری که یه سان شعله ی آتش- سوزان ئ بّران باشد اما جواد (ع) که بیشترین معنی و اعجاز را در همین سخن کوتاه فرزند خویش احساس کرده است. برای اینکه شایستگی و برگزیدگی پروردگار را در مورد این فرزند بر اطرافیان خویش بهتر نمودار سازد. اگر اما هادی (ع) از معلمی تعلیم و تربیت پذیرد بیگمان آن معلم، فقط پدربزرگوارش_ امام جواد( ع) _ خواهد بود و دیگر هیچ اندیشه ای هر چقدر هم که تجربه اندوخته و آگاه و عالم باشد جرأت و جسارت این را نخواهد یافت که در لباس تعلیم و تربیت به حضور این برگزیدگان راه یابد معتصم عباسی که به کین و خشم و حسد خویش، امام جواد(ع) را مسموم ساخته و او را به شهادت رسانیده است اکنون به چاره ای افتاد تا به گونه ای از خانواده و اما دلجویی کرده و خودش را، بیگانه از ماجرا جلوه دهد.

دانلود تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور با فرمت ورد

اختصاصی از اس فایل دانلود تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور با فرمت ورد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.