گزارش کارآموزی رشته الکترونیک شرکت دانش هوشیارالکترونیک

اختصاصی از اس فایل گزارش کارآموزی رشته الکترونیک شرکت دانش هوشیارالکترونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود گزارش کارآموزی رشته الکترونیک شرکت دانش هوشیارالکترونیک بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 94

گزارش کارآموزی آماده,دانلود کارآموزی,گزارش کارآموزی,گزارش کارورزی


این پروژه کارآموزی بسیار دقیق و کامل طراحی شده و جهت ارائه واحد درسی کارآموزی میباشد

 آشنایی کلی با مکان کارآموزی  

شرکت دانش هوشیارالکترونیک یکی از معتبرترین شرکت های الکترونیکی در استان بوشهر می باشد این شرکت در بافت قدیمی و در بازار این بافت قرار دارد. (خیابان امام خمینی) این شرکت فعالیت های خود را از 1378 آغاز کرده و در تفکر کلی مدیریتی این شرکت همیشه هدف گذاری و رشد پی در پی این شرکت مورد توجه بوده که با تلاش پیگیر یا مدیریت صحیح به این مهم دست یافته و افق روشن و امیدوارکننده ای در مقابل این شرکت دیده می شود.       فصل دوم:  ارزیابی بخش های مرتبط با رشته علمی کارآموز    به طور عمده سه بخش مرتبط به قرار زیر می باشند: 1-    تولید کنندگان قطعات الکتریکی و تولید کننده گان دستگاه های الکترونیکی که تولیدات آنها در این شرکت در معرض فروش قرار می گیرد. 2-    بخش طراحی و ساخت دستگاه های الکترونیکی که در این شرکت توسط مهندسان مجرب کار طراحی و ساخت پروژه ها برای ارگانها، شرکت هاو افراد شخصی صورت می گرفت. 3-    بخش تعمیرات و پشتیبانی دستگاه های تولیدی و همچنین تولیدات دیگر شرکت ها که در این شرکت در معرض عرضه قرار می گرفت. نتیجه گیری  امروزه با توسعه صنایع در کشور،فرصت های شغلی زیادی برای مهندسین برق فراهم شده است و اگر می بینیم که با این وجودبعضی از فارغ التحصیلان این رشته بی کار هستند و به دلیل این است که این افراد یا فقط در تهران دنبال کار می گردند یا در دوران تحصیل به جای یادگیری عمیق دروس و در نتیجه کسب توانایی های لازم تنها واحد های درسی خود را گذرانده اند. همچنین یک مهندس خوب باید کارآفرین باشد یعنی به دنبال استخدام در مؤسسه یا وزارت خانه ای نباشد بلکه به یاری آگاهی خود، نیازهای فنی و صنعتی کشور را یافته و باطراحی سیستم ها ومدارهای خاص این نیاز را بر طرف سازد. کاری که بعضی از فارغ التحصیلان ما انجام داده و خوش بختانه موفق نیز بودند. اگر یک فارغ التحصیل برق دارای توانایی های لازم باشد، با مشکل بی کاری روبرو نخواهد شد. در حقیقت امروزه مشکل اصلی این است که بیشتر فارغ التحصیلان توانمند و با استعداد این رشته به خاغرج از کشور مهاجرت می کنند و ما اکنون با کمبود نیروهای کار آمد در این رشته روبرو هستیم. یکی از اساتید مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران نیز در مورد فرصت شغلی فارغ التحصیلان این رشته می گوید: طبق نظر کارشناسان و متخصصان انرژی در کشور با توجه به نیاز فزاینده به انرژی در جهان کنونی و همچنین نرخ رشد انرژی الکتریکی در کشور نیاز به فارغ التحصیلان این رشته بیش از قبل مورد احتیاج است. پیشنهادات برای بهبود کار در صنعت الکترونیک 1- خودکفایی در طراحی و ساخت تجهیزات الکترونیکی  2- کاهش هزینه های ساخت 3- بهبود کیفیت دستگاههای ساخت داخل 4- توسعه فناوری تولید 5- توسعه راهکارها و فرهنگ مدیریت 6- استفاده بهینه از امکانات مراکز تحقیقاتی و صنعتی کشور جهت توسعه دانش فنی 7- کاهش اثرات حوادث زیان بار طبیعی در صنعت برق 8- سودآور شدن صنعت برق 9- نظارت و کنترل هرچه بیشتر بر شرکتهای تولیدی  10- ایجاد سایت مشترک اینترنتی به منظور استفاده دیگر شرکتها 11- برگزاری همایش کیفیت و بهره بری سالیانه برای شرکت های مربوطه از طرف دولت      فصل سوم: آموخته ها و نتایج   مقدمه  آشنایی با ساخت پیوند p-n   از آنجا که اساس و پایة علم الکترونیک نیمه هادیها می‌باشند لذا به عنوان مقدمه به تشریح  ساخت پیوند P-n می پردازیم.  برای ساختن پیوند p-n به یک بخش از یک تک بلور نیمه هادی نا خالصی نوع n و به بخش دیگر نا خالصی نوع p می افزایند . پیوند ها بسته به چگونگی ایجاد ناحیه ی انتقال از pبه n دردرون تک بلور طبقه بندی می شوند . هنگامی که ناحیه انتقال بسیار باریک باشد , پیوند ناگهانی نامیده می شود . پیوند تدریجی پیوندی است که ناحیه انتقالش در محدوده ی وسیعتری "پخش " شده باشد. پیوند p-n ناگهانی به وسیله ی آلیاژ سازی و رشد رونشتی تشکیل می شوند . پیوند های تدریجی از طریق نفوذ گازی  ناخالصیها یا کشت یونها ساخته می شوند. رشد رونشستی : رشد رونشستی یک لایه ی نیمه هادی روی یک پایه ی تک بلور نیمه هادی روشی برای تشکیل ناگهانی است . رشد رونشستی با گرم کردن پولک میزبان ؛ مثلأ سیلیسیم نوع n و عبور دادن جریان کنترل شده ی گازی حاوی تتراکلرید سیلیسیم (( sicl4و هیدروژن از روی سطح انجام می شود . در اثر فعل و انفعال گازها اتمهای سیلیسیم روی سطح پولک میزبان ته نشین می شود . چون معمولأ دما بالاتر از 1000درجه سانتی گراد است ؛ اتمهای ته نشین شده انرژی و قابلیت حرکت کافی دارند تا خود را به طور صحیح با شبکه ی بلور میزبان تطبیق دهند . این عمل سبب می شود که شبکه از روی سطح اصلی به طرف بالا امتداد یابد . سرعت نمونه ای رشد لایه ی رونشستی حدود یک میکرون در هر دقیقه است. برای تشکیل لایه های نوع n یا p می توان در هنگام رشد رونشستی ؛ انتهای ناخالصی را به شکل ترکیب گازی به گاز حامل اضافه کرد . با رشد دادن یک لایه ی نوع pرونشستی (epi) بر روی یک پولک میزبان نوع n پک پیوند تقریبأ ناگهانی شکل می گیرد.البته ؛ ترتیبهای دیگر مثل رشد لایه ی نوع n به روش رونشستی روی یک لایه ی نوع p نیز ممکن است. فرایند رونشستی به طور وسیع در ساخت مدارهای مجتمع (IC)ها به کار می رود. دیود p-n تشکیل شده در فرایند رونشستی (epi) به طور معکوس با یاس می شود تا مدار را از پایه (پولک میزبان جدا سازد . اخیرأ از روش رونشستی در شکل دهی ساختارهای SOS مخفف Si-on_sapphire یا Si-on-spinel  سیلیسیم)روی یاقوت سرخ یا یاقوت کبود ) است. یاقوتهای کبود , ترکیبات گوناگونی از اکسید منیزیم (Mgo) و اکسیدآلومینیم (Al203) هستند و ارتباط نزدیکی با یاقوت سرخ دارند . به طور خلاصه ناخالصی سیلیسیم به طریق رونشستی بر روی پایه های یاقوت سرخ یا کبود رشد داده می شود .  انگیزه استفاده از پایه های یاقوت سرخ یا کبود , کیفیت عایق بودن این پایه ها در جدا سازی مدارها در طراحی IC های حاوی ادوات سریع ,به خصوص مدارهای مجتمع در مقیاس فشرده (LSI) است .