اکسیدهای نیمرسانای شفاف
مقدمه ای کامل و جامع و بسیار مناسب برای پایان نامه های رشته فیزیک، شیمی، نانوفیزیک،نانوشیمی و ...
حاصل از ترجمه مقالات ISI با 39 رفرنس معتبر - 32 صفحه فایل word با فهرست مطالب، جدولها و شکلها و با رعایت تمام نکات نگارشی
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
لینک عضویت در کانال تلگرامی دنیای فایل:
جهت اطلاع از آخرین و تمام فایلهای تحقیقاتی موجود، شما می توانید با کلیک بر روی لینک زیر و سپس کلیک بر روی join در پایین صفحه در کانال عضو شوید
https://telegram.me/joinchat/CYcguj_Bx3i5GIwnbs2zTw
payannameht@gmail.com
مقدمه
از آنجا که اکسیدهای رسانای شفاف مانند برخی از ترکیبات نیمرساناها دارای گاف انرژی نسبتاً پهن ( بیش از eV 3) هستند، میتوان آنها را نوع جدیدی از نیمرساناها با خواص منحصر به فرد دانست. اکسیدهای رسانای شفاف که به اختصار به [1]TCO ها مشهور هستند، بیش از چند دهه است که شناخته شده اند. نسل اول از اکسیدهای رسانای شفاف (TCO's) به صورت کپه ای[2] یا لایه های نازک [3]، در گروه نیمرساناهای نوع n قرار دارند. تحقیقات گسترده بر روی اکسیدهای رسانای شفاف نوع n نزدیک به 50 سال است که به طور جدی مورد توجه قرار گرفته شده است [1-4]. اولین رسانای شفاف، اکسید کادمیوم (CdO) است که در سال 1907توسط بادیکر[4] گزارش شد. در این مدت مطالعات گستردهای بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختاری و ترکیب شیمیایی این مواد انجام گرفته است. این تحقیقات بر روی (SnO2)، اکسید ایندیوم (In2O3) و اکسید روی (ZnO) متمرکز شده است.
این اکسیدها دارای خواص استثنایی توام با شفافیت اپتیکی بالا در ناحیه مرئی و رسانای الکتریکی خوب (نزدیک به رساناها) میباشند. به دلیل این ویژگیها، به عنوان الکترودهای شفاف[1] در قطعات اپتوالکترونیک [2] و حالت جامد [3] از قبیل قطعات نمایشی بلور مایع (LCD)، سلولهای الکترولومینسانس (ELC)، دیودهای گسیل نوری (LED)، صفحات نمایشی پلاسما (PDP)، شیشههای گسیلنده نوری پایین، الکترودهای شفاف برای سلولهای فوتوولتائیک، قطعات نمایشی الکتروکرومیک (ECD)، قطعات نمایشی ترموکرومیک (TCD)، لیزرهای نیمرسانا و قطعات پیزوکرومیک مورد استفاده قرار گرفته اند [6-8].
نسل دوم رساناهای شفاف، نوع p- (p-TCO) میباشند. اغلب مواد رسانای شفاف، نوع -n هستند، اما مواد رساناهای شفاف نوع –p برای توسعه قطعات نیمرسانا و لیزرهای جامد مورد نیاز است. برای اولین بار در سال 1933توسط ساتو[4] در انجمن فناوری کانازاوای ژاپن نیمرسانای شفاف نوع p از اکسید نیکل با شفافیت 40% در گستره مرئی گزارش شد. در دهه گذشته میلادی، مطالعات در زمینه تهیه رساناهای شفاف نوع p، گسترش یافته است [9]. نمونههایی از لایههای نازک اکسید رسانای شفاف نوع –p عبارتند از : ,ZnO:In ,ZnO:N ,NiO:Li ,CuAlO2 ,Cu2SrO2 .CuGaO2
در واقع با کشف p-TCO حوزه جدیدی در فناوری قطعات اپتوالکترونیک به نام "الکترونیک شفاف یا نامرئی" که حاصل اتصالp-n میباشد، ایجاد گردید. با پیشرفت علم نانوفناوری در چند سال اخیر( از سال 2000میلادی به بعد)، نسل سوم اکسیدهای رسانای شفاف توسعه یافته است. با رشد تحقیقات در زمینه نانوفناوری، مطالعه خواص فیزیکی و شیمیایی و تعیین ویژگیهای ساختاری،
الکتریکی، اپتیکی و مغناطیسی انواع نانوساختارهای این مواد از قبیل نانوذرات، نانولوله ها، نانوسیمها و نانو رشته های اکسید رسانای شفاف (SnO2)، اکسید ایندیوم (In2O3)، اکسید روی(ZnO) و نیز نانو ساختارهای رسانای شفاف نوع p مورد توجه قرار گرفته است [10-15]. نیمرساناهای شفاف رقیق مغناطیسی[5] که به روشهای مختلف فیزیکی و شیمیایی تهیه شده اند، نسل چهارم نیمرساناهای شفاف هستند. اغلب این نیمرساناهای مغناطیسی شفاف با افزودن مقادیر جزئی ناخالصی مغناطیسی از قبیل کبالت، منگنز، نیکل، آهن به نیمرساناهای متداول از قبیل اکسیدروی (ZnO) و اکسیدقلع (SnO2)، تهیه شدهاند. کاربردهای بسیار وسیعی از این نیمرساناهای رقیق مغناطیسی شفاف در قطعات حافظه های لایه نازک مغناطیسی، قطعات خواندنی- نوشتنی مغناطیسی و انواع دروازه ها و شیرهای مغناطیسی گزارش شده است [7 و16-21]....
فهرست مطالب
مطالعه خواص فیزیکی اکسیدهای نیمرسانای شفاف 1
1-2: مروری بر خواص فیزیکی لایههای نازک اکسیدهای نیمرسانای شفاف 4
1-3: تابع کار اکسیدهای نیمرسانای شفاف 10
1-4: ساز و کار مواد نیمرسانای شفاف 11
1-5: منشأ حاملهای بار آزاد در مواد نیمرسانای شفاف 14
1-6: معرفی خواص و ویژگیهای فلز قلع .15
1-8: برخی از کاربردهای اکسید نیمرسانای شفاف 20
1-8-4: حفاظهای الکترومغناطیسی 23
1-9: کاربردهای ویژه لایه های اکسید قلع 23
مراجع 26
فهرست جدولها
جدول 1-1: مواد نیمرسانای شفاف رایج 2
جدول 1-2: خانواده های اکسید رسانای شفاف 10
جدول 1-3: توابع کار اندازه گیری شده برای چند اکسید های نیمرسانای شفاف 11
جدول 1-4: برخی از مواد اکسید رسانای شفاف با آلاینده مناسب 12
جدول 1-5: گاف انرژی مواد نیمرسانای شفاف 14
فهرست شکلها
شکل 1-1: تغییرات مقاومت ویژه الکتریکی اکسیدهای رسانای شفاف از سال 1972 تا کنون 2
شکل 1-2:اندازه بلورک (D) تحرک پذیری (μ) برای لایه اکسید روی، آلومینیوم 5
شکل 1-3: رابطه بین تحرک پذیری و چگالی حاملها 6
شکل 1-4: شفافیت اپتیکی یک اکسید رسانای شفاف 8
شکل 1-5: تغییرات رسانندگی با ضخامت لایه 9
شکل 1-6: رابطه بین چگالی حامل و تابع کار برخی از اکسیدهای نیمرسانای شفاف 10
شکل 1-7: سلول واحد بلور SnO2 16
شکل 1-8: تغییرات مقاومت ویژه (ρ)، تحرکپذیری حاملها (μ)، چکالی حامل (N) برای لایه SnO2:Sb 18
شکل 1-9: ساختار نواری SnO2 19
شکل 1-10: طیف اپتیکی SnO2 20
شکل 1-11: نمونه سلول خورشیدی 21
شکل 1-13: باتریهای ساخته شده از نانوذرات گرافن و اکسید قلع 25
اکسیدهای نیمرسانای شفاف