گزارش کار جذب سطحی

اختصاصی از اس فایل گزارش کار جذب سطحی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گزارش کار جذب سطحی

ارزیابی فنی و اقتصادی روش آبیاری قطره ای در گندم و مقایسه آن با روش آبیاری سطحی

اختصاصی از اس فایل ارزیابی فنی و اقتصادی روش آبیاری قطره ای در گندم و مقایسه آن با روش آبیاری سطحی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه تعیین چگالی بارهای سطحی میان – گاه

اختصاصی از اس فایل پایان نامه تعیین چگالی بارهای سطحی میان – گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه ........................................................................ 2

1-1 نیمه رسانا.............................................................. 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم.......................................................................... 4

1-3 جرم موثر................................................ 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی................................................................. 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش.................................. 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ...................................................................... 10

1-7 رشد بلور ....................................................................... 13

1-7-1 رشد حجمی بلور.............................................................. 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد....................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ............................................... 16

1-7-4 رونشستی فاز بخار.......................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون....................................................... 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی........................................................ 21

1-10 انواع آلایش..................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای........................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ...................................................... 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ........................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ....................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ).................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار............................................................................... 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده................................................. 33

1-12-1 JFET.................................................................................................................................... 33 

1-12-2 MESFET ................................................................... 34

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ........................................................................................ 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38

مقدمه ................................................................................ 39 

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ......................................................................................... 41

2-2 لایه تهی ..................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .................................................................. 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد.............................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد.................................................................................. 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد.................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ............................................ 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی......................................... 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت....................................... 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ...................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ..................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد.................................................................... 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ............................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................ 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................. 68

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si................................... 69

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده.................................................................... 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل.............................................. 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................. 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای .................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها ............................................................................... 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ...................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................. 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................. 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ............... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................. 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها .................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج.................................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه............................... 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................. 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .................................................................................................. 89

مقدمه...................................................................................................................................................... 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ................................. 91

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ...................................................................................... 91

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................... 96

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc ....................................................................................... 99

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls .................................................... 100

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si .................................. 100

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ....................................................................................... 100

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ......................... 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی.......................... 114

فصل پنجم : نتایج............................................................. 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ............................. 125

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه ............................................................................ 125

پیوست ................................................................ 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ..................................................... 139

منابع.......................................................... 141

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم  .  در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

ساختار سطحی الیاف نساجی استفاده شده در امباسینگ غلتکی

اختصاصی از اس فایل ساختار سطحی الیاف نساجی استفاده شده در امباسینگ غلتکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)تعداد صفحات:90

 چکیده :

طرح استفاده از الیاف نساجی ترموپلاستیک شکل گرفته است ، کاربرد جدیدی از نانو ساختارهای سطحی یک نمونه از رول امباسینگ شکل گرفته در جایی که یک فلز انعطاف پذیر برجسته که طرح در سطح آن برروی یک سیلندر فلزی سوار شده است با تنظیم دقیق پارامترهای فرآیند‌، شبکه های دوره‌ای با جزئیات واحد زیر بوده انتقال پیدا میکند ،برروی الیاف پلی استر با قطر 180 میکرومتر  .

کلمات کلیدی : رول امباسینگ ، قالب ترموپلاستیک ، الیاف نساجی .

1- مقدمه :

بسیاری از پیشرفت های تکنولوژی تولید الیاف مصنوعی مبنی بر توسعه ( تغییر ) در سطح الیاف می باشد [1] در بیشتر موارد الیاف پروفیلی ( سطح مقطع غیر دایره‌ای ) به وسیله نازل اسپینرت ، به ایجاد یک سطح پروفیلی در طی ریسندگی لیف می انجامد به هر حال این تکنولوژی 2 اشکال دارد :

• پروفیلی شدن فقط در جهت طولی اتفاق می افتد ( پروفیلی شدن طولی )
• شکل پروفیلی محدود به شکل نازل اسپینرت ، ویسکوزیته مواد شکل دهندة الیاف و تورم در طی الکستروژن کردن الیاف می باشد بنابراین سطح الیاف نسبتاً زبر می باشد

در نتیجه بسیاری از اثرات مبنی بر سطوح نانو ساختاری نمی تواند کاربردی موثر داشته باشد با تولید برجستگی هایی در موقعیت مکانیی دلخواه ( پروفیل افقی ) مشخصات مهم سطح الیاف ، ممکن است در محدودة وسیعی بهبود پیدا کند (‌گسترش پیدا کند )

نمونه های امکان پذیر عبارتند از :

• منسوج با افزایش مساحت سطح که قادر است ، مقدار زیادی از رطوبت را برداشت کند و توانایی خشک شدن سریع بااجاره دادن آب در چسبیدن به سطح بدون نفوذ به داخل لیف .
• نخ با استحکام کششی بالا به وسیلة افزایش اصطکاک بین تک لیف ها
• دستمال کاغذی ساخته شده برای کاربرد پزشکی باکنترل رشد سلول
• این مقاله روشی ارائه می دهد که چگونه الیاف می توانند دارای ساختار سطحی شوند .

با استفاده از رول امباسینگ(‌همچنین وب امباسینگ نامیده می شود ) ( به شکل 1 توجه کنید )

دانلود فایل پاورپوینت با موضوع کشش سطحی آب

اختصاصی از اس فایل دانلود فایل پاورپوینت با موضوع کشش سطحی آب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود فایل پاورپوینت با موضوع کشش سطحی آب که شامل 63 اسلاید میباشد:

نوع فایل : PowerPoint

این فایل پاورپوینت که با زحمت فراوان توسط متخصصان و پژوهشگرانمان گرداوری، تایپ و تدوین شده ،جهت یادگیری سریع ، ارایه و کنفرانس و... در خدمت شما دانشجویان و اساتید محترم خواهد بود.

*هدف ما راحتی شماست*