مقاله فارسی و انگلیسی
"مقایسه عملکرد بین finfet soi و finfet bulk "
با کوچکتر شدن تجهیزات تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درینDIBL،پدیده کاهش ولتاژ Vth با کاهش طول گیت roll off و... ظاهر شده که کارایی افزاره را کاهش میدهند. برای حل این مشکلات، چند ساختار برای دستگاه پیشنهاد شده است: ماسفت هایی با سیلیکون بر روی عایق (SOI) و بدنۀ نازک ، ماسفت های دو گیتی ، ماسفت های سه گیتی ، و FinFET ها.
در بین این ساختارها، FinFET گزینۀ محتملی برای ساختار دستگاه نهایی CMOS در نظر گرفته می شود چرا که آثار کانال کوتاه را بخوبی کاهش میدهد. در این مقاله با بیان اینکه FinFET دارای دو نوع مختلف ،BULKو SOI می باشد و سعی شده با مقایسه FinFET SOI (سیلیکون روی عایق) و FinFET BULK، عملکردهای آنها برای طول های کانال و شرایط بایاس مختلف، مقایسه شوند.
کلیدواژه: آثار کانال کوتاه، DIBL, FinFET SOI, FinFET
14 صفحه مقاله فارسی+11 صفحه ترجمه انگلیسی
هر دو مقاله به صورت ورد و تایپ شده
مقاله فارسی و انگلیسی\"مقایسه عملکرد بین finfet soi و finfet bulk \"
